2、深入荧光信息可重复书写、立体结构可重构的荧光油水凝胶可以实现荧光信息的动态变化以及双重加密-解密过程，信息安全等级较高。
由化学气相沉积和氧化锶钛电介质制成的可扩展二硫化钼薄膜的典型短沟道晶体管表现出陡峭的亚阈值摆幅低至每十倍频约70毫伏，物联网领开/关电流比高达107，物联网领符合最新的《国际设备和系统路线图》建议的低功耗规格。【导读】 对于硅(Si)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的亚10纳米技术节点，域全用亚纳米电容等效厚度(CET)和与沟道的完美界面对于栅极电介质保持栅极至关重要可控性。
面进参考文献：Huang,JK.,Wan,Y.,Shi,J. etal. High-κ perovskitemembranesasinsulatorsfortwo-dimensionaltransistors. Nature 605, 262–267(2022).https://doi.org/10.1038/s41586-022-04588-2。同时，军深考虑到钙钛矿氧化物领域已经建立的精细控制和可扩展的生长技术，军深将功能性钙钛矿氧化物膜与2D材料自由集成的能力为单片3D集成的层压组装提供了途径。然而，深入它们的无定形性质和不完美的电介质/过渡金属二硫属化物界面使得消除电荷散射和陷阱变得困难，此外，电介质沉积工艺会直接损坏二维通道。
此外，物联网领合成单晶独立式钙钛矿氧化物膜的最新进展已经建立了一条可行的途径，物联网领将超高κ结晶SrTiO3薄膜与二维半导体集成以形成高质量的介电/通道界面，以克服目前栅极控制的限制。而钙钛矿锶钛氧化物(SrTiO3)表现出高静态介电常数（在室温下，域全用εbulk ≈ 300），域全用这使其成为在复合氧化物异质界面处静电调制硅、石墨烯或二维电子气的潜在栅极电介质。
【成果掠影】近日，面进香港大学Lain-JongLi教授团队联合澳大利亚新南威尔士大学SeanLi教授团队探索可转移的超高κ单晶钙钛矿锶钛氧化物膜作为二维场效应晶体管的栅极电介质。
同样，军深人们热切期待开发出适用于未来节点的二维(2D)MOSFET的可靠高介电常数(κ)材料(CET1nm)。深入（e）MXenes在有机和水性电解质中诱导的金属阳极系统和反应机理。
物联网领（c）无金属的MXenes基阳极配置。他们同为厚度在纳米级别的层状薄片，域全用这一点也体现在MXenes的命名上，-ene。
低成本、面进无害化、规模化的稳定制备是应用的基础。其次，军深MXenes材料的长时间保存问题值得重点关注。
